Particle Grade

Particle Grade 웨이퍼는 표면 오염물질 및 파티클(particle) 숫자를 최소한도로 관리한 300mm제품을 뜻합니다. 파티클은 다양한 사이즈로 측정될 수 있으나 대개 0.09 μm, 0.12 μm, 0.16 μm, 0.20 μm, 0.30 μm 등이 보편적인 규격입니다. 이 파티클의 개수는 대개 10,20,50개 등으로 규정되어 이 숫자를 초과하지 않도록 관리되고 있습니다.

파티클 규격은 “≤50@≥0.12 μm” 과 같은 형식으로 표시됩니다. 이는 사이즈가 0.12 μm 이상인 파티클이 최대 50개 이하로 웨이퍼 표면 전체에 존재한다는 의미가 됩니다. 사람의 머리카락 굵기가 대개 1μm 정도임을 감안할 때 이러한 작은 사이즈의 Particle은 육안으로는 볼 수 없습니다. (사람의 육안으로 식별이 가능한 사이즈는 0.5 μm 이상임)

Particle Grade 웨이퍼는 상대적으로 매우 엄격한 표면 청정도 규격이 적용되며 어플리케이션 용도에 따라 두세가지 정도의 Particle Grade 규격이 상용되고 있습니다.

아래에 있는 규격들은 현재 SVM이 공급하고 있는 일부 제품의 규격이며 이 제품과 관련된 추가적인 문의 사항이 있으실 경우 당사로 문의해 주시기 바랍니다.

Diameter: 300 +/- 0.5 mm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: {100} +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 1-30 Ω-cm
Radial Resistivity Gradient (RRG): <=10%
Oxygen Concentration: <=30 ppma
Carbon Concentration: <= 1 ppma
Surface Metals: <=1xE10
Thickness: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
Front Surface: Polished
Particle Count: <=50@>=0.09 μm
Back Surface: Polished

Diameter: 300 +/- 0.5 mm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: {100} +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 1-30 Ω-cm
Radial Resistivity Gradient (RRG): <=10%
Oxygen Concentration: <=30 ppma
Carbon Concentration: <= 1 ppma
Surface Metals: <=1xE10
Thickness: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
Front Surface: Polished
Particle Count: <=50@>=0.12 μm
Back Surface: Polished
Notch: SEMI Standard

Diameter: 300 +/- 0.5 mm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: {100} +/- 1
Growth Method: Cz
Resistivity: 1-30 Ω-cm
Thickness: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
Front Surface: Polished
Particle Count: <=50@>=0.16 μm
Back Surface: Polished
Notch: SEMI Standard